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座人纳米级精密复制及注塑上

发布时间:2021-10-26 15:22:26 阅读: 来源:发热芯厂家

纳米级精密复制及注塑(上)

要提高CD等光学媒体的储存密度,如果没有表面结构的微型化,也就是所谓的“凹坑”就是不可能的。在探寻新的注塑化合物与评估新型母碟时,以纳米级来精密复制这些凹坑在一定程度上就变得必不可少了。 ”

作为德国拜耳材料科技研究项目的一部分,不同的成型化合物与各种类型的母碟(晶片与压模)对大型动力电池企业被检测它们复制纳米结构的潜力。在较早期的试验中已被使用的直径80mm、厚度1.2mm的塑料碟片被选作模制品。这些塑料碟片的表面含有不同的结构,能根据已使用的母碟进行变化。母碟是一个碟型的注塑模具嵌件,已经具有了表面结构。母碟的表面结构主要由V型凹坑或凹槽构成。结构是微米/次微米级和纳米级的。除了这些V型凹坑,U型凹坑和∧型凸起也被用作塑料复制的母碟结构。常用到的母碟包括了带V型微槽的硅晶片、带V型微槽的镍压模(由硅晶片直接加工而来)带CD-R凹槽的镍压模。

母片的生产与构成

一块硅晶片是由各有异性湿式蚀刻做出来的。这包括了硅单晶,并对具有一定形状的V型凹坑进行蚀刻。依靠特定的蚀刻方案,材料在不同的速度之下被去除,根据晶体取向而变化。表面 100 和 111 的垂直蚀刻移取率约为400:1。对于表面拉伸达 100 的硅单晶,各个原子层据此原则被该公司更增设1个3D打印研发实验室连续地去除。这引起硅表面上的V型凹坑,其纵横比由这种晶格结构所控制。纵横比a描述的是结构高度H与结构宽度B之间的比值(图1)。对于这里所用表面 100 晶格结构的晶片,这会产生0.707的纵横比。

图1:由具有 100 晶格结构表面开始的V型凹坑的形成

结构式样与不同结构区域的排列相对应(图2)。为了备制晶片,硅被氧化(SiO2层,厚度120±1nm),并最终被加工。在显露之前,晶片被赋予了防御层,也就是为人所知的上漆。可作为选择的,一个防影像层可以被用作光学平版印刷(厚度约400nm)或电子束平版印刷(厚度约60nm)用PMMA的有效防御层。

图2:结构的排列

在接下来的步骤中传到样品上的法向力,所谓的蚀刻窗在这一层被创造出来。为了这个目的,利用掩模对准器,晶片就显现出来。在随后的变化中显露的防御层被溶解开来。

为了传送这个结构,被蚀刻窗的结构被活性离子蚀刻传送至氧化层。通过用氢氧化钾的湿式蚀刻,最终结构被刻到硅中。最后,SiO2层被氢氟酸所去除掉。为了在注射模具中的使用,防粘涂层也必须被施加,以防止塑料与晶片的粘着。

(待续)

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