纵观芯片制造工艺技术CMOS仍将独领风骚《资讯》电声器件

<P><FONT face=Courier size=2>&nbsp;&nbsp; 一位业内技术专家指出，CMOS将在未

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<P><BR></FONT><SPAN class=px14><FONT id=FontSizeSettings4><BR><FONT face=Courier size=2>　　</FONT><FONT face=Courier size=2>德州仪器</FONT><FONT face=Courier size=2>(Texas Instruments)</FONT><FONT face=Courier size=2>DSP</FONT><FONT face=Courier size=2>分部首席专家Gene Frantz表示，尽管过去10年里CMOS工艺和设备技术取得巨大进展，硅技术仍然在理论极限以下表现卓越。他相信，硅将继续在许多年内充当前沿的</FONT><FONT face=Courier size=2>半导体</FONT><FONT face=Courier size=2>技术

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<P><SPAN class=px14><FONT><FONT face=Courier size=2></FONT>&nbsp;</P>

<P><FONT face=Courier size=2>　　硅晶体管门长的理论极限大约为1.5nm，他指出：“看看当今的65nm CMOS工艺，其最小门长为39nm，这仍然大于理论极限的25倍。”对于门延迟来说情况类似，门延迟决定了逻辑的基本速度。理论极限是0.04ps，短于当今65nm逻辑器件可实现延迟的24倍。 </FONT></P>

<P><FONT face=Courier size=2></FONT>&nbsp;</P>

<P><FONT face=Courier size=2>　　根据晶体管密度，极限是在一片芯片上集成每平方厘米15亿只。这仍然比65nm CMOS器件所实现的大7倍。 </FONT></P>

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